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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
53
En 66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
7.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
18
53
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
7.5
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
10600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
1833
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
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