RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
24
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
6.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
24
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
6.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
1433
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link