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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
24
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
24
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
2925
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
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