RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
32
En 44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
11.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
32
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
11.3
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
2292
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link