RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
28
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
2417
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link