RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
41
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
41
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
8.9
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
2126
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link