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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Compara
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
42
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
18
42
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2926
2352
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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