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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Compara
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
16
24
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
22.1
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
16
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
22.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
18.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2222
3906
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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