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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Compara
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
36
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2222
2734
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
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