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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Compara
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
6.5
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1994
2104
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
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