RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Gesamtnote
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
35
Rund um -40% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
7.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1994
2104
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link