RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Compara
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1994
2545
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393B5170GB0-CH9 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBRH 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link