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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Compara
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
51
En -65% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
31
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3444
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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