RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Compara
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.9
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2124
2319
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link