RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Comparez
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Note globale
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
40
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
34
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2124
2319
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5471-039.A00LF 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link