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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Compara
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2239
2354
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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