RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Compara
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
29
En 14% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2239
2690
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link