RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Compara
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Puntuación global
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En -4% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1896
2256
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5316-058.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Mushkin 996902 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link