RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
73
En -181% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
26
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
2880
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Informar de un error
×
Bug description
Source link