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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
73
Por volta de -181% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
6.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
4.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
73
26
Velocidade de leitura, GB/s
6.1
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
4.7
13.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1021
2880
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparações de RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparações de RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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