RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
38
En -36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2144
2179
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link