RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Compara
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
41
43
En -5% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
41
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
6.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2322
1512
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GL1600D364L10/8G 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link