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Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
50
En 48% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
50
Velocidad de lectura, GB/s
14.6
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2207
2512
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
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A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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