RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Compara
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Puntuación global
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
33
En 9% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
11.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
11.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2792
2930
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link