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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
比较
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
总分
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
33
左右 9% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.3
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
11.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
33
读取速度,GB/s
15.6
16.3
写入速度,GB/s
11.1
11.7
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2792
2930
Kingston 9905702-010.A00G 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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