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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
10.4
13.6
写入速度,GB/s
7.8
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2608
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
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