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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
47
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
33
Vitesse de lecture, GB/s
10.4
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2169
2608
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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