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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
比较
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Kllisre 8GB
总分
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
总分
Kllisre 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
46
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kllisre 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
46
读取速度,GB/s
12.9
11.7
写入速度,GB/s
8.3
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2144
2349
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB RAM的比较
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Kllisre 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
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