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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
比较
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
总分
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
35
读取速度,GB/s
13.2
15.2
写入速度,GB/s
8.4
12.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2070
3150
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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