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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1632
2409
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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