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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
42
En -56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1632
2409
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
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