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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Puntuación global
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Puntuación global
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
42
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
31
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1632
2460
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
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Kingston 9965669-018.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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