RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Compara
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Puntuación global
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1632
2489
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link