RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Compara
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Puntuación global
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1632
2619
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Micron Technology 72JSZS4G72L1G9E2A7 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link