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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Compara
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Puntuación global
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Puntuación global
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En -32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.1
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.9
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2279
3297
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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