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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Compara
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Puntuación global
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
33
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
18
Velocidad de lectura, GB/s
9.1
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.9
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2279
3564
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
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