RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
33
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
18
Скорость чтения, Гб/сек
9.1
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.9
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2279
3564
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Сравнения RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link