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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
37
En -37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
7.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
27
Velocidad de lectura, GB/s
7.9
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1798
2545
Kingston 9965516-430.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
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V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
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