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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
比较
Kingston 9965516-430.A00G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
总分
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
总分
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
7.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
7.9
15.3
写入速度,GB/s
7.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1798
2545
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
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Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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