RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
38
En 29% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.1
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.8
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
38
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2483
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link