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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
51
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
25
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2129
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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