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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Puntuación global
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.3
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 27
    En -13% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.2 left arrow 12.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.6 left arrow 6.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2196 left arrow 2256

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
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Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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Memoria RAM
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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Memoria RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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Memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
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Memoria RAM
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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Memoria RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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