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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Compara
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Puntuación global
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
2909
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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