RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
32
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
9.2
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2017
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link