RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2017
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link