RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.2
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2017
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link