RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
94
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
39
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2600
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link