RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
94
En -141% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
39
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2600
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link