RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gesamtnote
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
94
Rund um -141% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,165.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
94
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
1,882.0
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,165.4
10.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
305
2600
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link