RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
9.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2017
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link