RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
27
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
20.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3542
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology AM2U139C4P2-S01S 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link