RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
70
Около 59% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
70
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
1923
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link